可控硅基本伏安的正反特性

　　可控硅基本伏安特性

　?。?）反向特點

　　當操縱極引路，陽極氧化再加反向工作電壓時（詳細圖2），J2結正偏，但J1、J2結反偏。這時只有穿過不大的反向飽和狀態電流，當工作電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿工作電壓后，接差J3結也熱擊穿，電流快速提升，圖3的特點剛開始彎折，如特點AN段圖示，彎曲處的工作電壓URO叫“反向轉折點工作電壓”。這時，可控硅會產生永久反向。

　　陽極加上反向電壓

　?。?）正向特點

　　當控制極開路，陽極氧化上再加正向工作電壓時（見圖3），J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與一般PN結的反向特點類似，也只有穿過不大電流量，這叫正向阻隔情況，當工作電壓提升，圖3的特點發生了彎折，如特點OA系統段圖示，彎曲處的是UBO叫：正向轉折點工作電壓

　　陽極加正向電壓

　　因為工作電壓上升到J2結的雪崩擊穿工作電壓后，J2結產生山崩增長效用，在結區造成很多的電子器件和空化，電子器件時入N1區，空化時入P2區。進到N1區的電子器件與由P1區根據J1結引入N1區的空化復合型，一樣，進到P2區的空化與由N3區根據J3結引入P2區的電子器件復合型，雪崩擊穿，進到N1區的電子器件與進到P2區的空化分別不可以所有復合型掉，那樣，在N1區就會有電子器件累積，在P2區就會有空化累積，結果使P2區的電位差上升，N1區的電位差降低，J2結變為正偏，要是電流量稍提升，工作電壓便快速降低，出現說白了負阻特點，見圖3的虛線AC段。

　　這時候J1、J2、J3三個結均處在正偏，可控硅便進到正向導電性情況---通態，這時，它的特點與一般的PN結正向特點類似，（由此可見圖2中的BC段）。

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